中芯14nm到N+1,英特尔才10nm,中芯要追上英特尔了?

众所周知,作为全球最知名的芯片企业英特尔,在芯片制造技术上真的是落后了,现在才实现10nm技术,而台积电、三星已经实现了5nm芯片的制造。

也正因为英特尔的落后,所以今年intel的日子不太好过,AMD找台积电代工后,抢走了很多intel的市场,然后苹果推出M1芯片,也要替换掉intel。

中芯14nm到N+1,英特尔才10nm,中芯要追上英特尔了?

也是在这样的背景之下,近日有人表示,中芯国际已经实现了14nm,接下来就是N+1工艺,达到了接近7nm的水平,说不定中芯都要追上英特尔了,甚至还要超过intel了。

那么中芯国际真的要追上英特尔,甚至超过intel了么?在我看来,还真不是的,不要小看了intel的工艺,更不要单从工艺节点来看。

首先说说英特尔的14nm工艺,按照半导体界最被大家认可的一项参数,也就是晶体管山密度来看,intel的14nm工艺,达到了44.67MTr/mm²,也就是每平方毫米达到4467万个。

中芯14nm到N+1,英特尔才10nm,中芯要追上英特尔了?

而中芯的14nm,晶体管密度为30MTr/mm²,也就是每平方毫米达到3000万个,同样工艺,intel的晶体管密度是中芯的1.5倍。

中芯14nm到N+1,英特尔才10nm,中芯要追上英特尔了?

而中芯的N+1按照网上的说法,最多也就是接近台积电的7nm工艺,甚至还达不到,按照晶体管密度来算,最多也就是达到台积电7nm的同样的水平,那就是91.2MTr/mm²。

但英特尔的10nm,就已经达到了100.76MTr/mm²,这个数值已经是强过于台积电的7nm工艺的了。

所以就算中芯的N+1实现了,并且与台积电的7nm同一水准,都比不上intel的10nm,更何况明年intel也能实现7nm,英特尔的7nm可是与台积电的5nm一个级别的。

中芯14nm到N+1,英特尔才10nm,中芯要追上英特尔了?

另外除了最权威的逻辑密度外,芯片的性能技术等,还与鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度、芯片的频率等等参数有关。

所以实话实说,中芯与英特尔的差距真的还很大的,并不是从字面上来看的所谓10nm、14nm、N+1能够表现出来的。

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